核心特性对比：

特性 PMOS LDO NMOS LDO 原理说明
驱动电压需求 低（栅极电压需低于源极电压） 高（栅极电压需高于源极电压） PMOS源极接输入电压（Vin），栅极电压拉低即可导通；NMOS需栅极电压高于Vin，常需电荷泵或偏置电压支持。
压差（Dropout） 低（可<200mV） 较高（常>300mV） PMOS导通电阻在低压差下易优化；NMOS需维持VGS门限电压，压差较大。
静态电流 低（1~10μA） 较高（电荷泵/偏置电路额外耗电） NMOS的电荷泵或外部偏置电路增加静态功耗；PMOS无需额外驱动电路。
瞬态响应速度 较慢（带宽受限） 快（电子迁移率高） NMOS电子迁移率优于PMOS（空穴迁移率），开关速度和环路响应更快。
导通电阻与效率 中等（高电流时效率低） 低（适合大电流） 相同尺寸下，NMOS导通电阻（Rds(on)）更低，高负载时损耗更小。