电压驱动型器件
常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途

类型与应用

![[Pasted image 20251010100155.png]]
NMOS管：
- 电路符号：箭头往里，箭头方向代表电子走向
- 电子开关：控制信号G极为高电平时导通，低电平时断开
- 导通电阻小，导通功耗小
- [低边开关]{.label .danger}应用首选，驱动方便，选型灵活
- N沟道MOSFET驱动比较复杂，一般需要额外电源或[自举驱动]{.label .danger}
- MOS管==体二极管==的负极作为电源输入端
PMOS管：
- 电路符号：箭头往外，箭头方向代表电子走向
- 电子开关：控制信号G极为低电平时导通，高电平时断开
- 导通电阻大(制造工艺?)，导通功耗大
- [高边开关]{.label .danger}应用，用P沟道MOSFET驱动比较简单，但导通电阻相对较大，!!价格相对较高!!
- MOS管==体二极管==的负极作为电源输入端
体二极管：MOS管不可避免的寄生二极管
+++danger 影响

  • 正向压降较高会增加开关损耗，导致MOS管发热
  • 在高频开关应用中，反向恢复时间和电流会影响效率和产生电磁干扰
    ![[体二极管.png]]
    ![[MOS驱动电路.png]]
    +++

关键参数